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會議背景隨著科學技術的飛速發展，半導體材料的革新速度也進一步加快。當前，碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，在新能源汽車、光伏、儲能等新興領域正快速滲透，已成為全球半導體產業的前沿和制高點。同時，我國“十四五”規劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域，碳化硅半導體將在我國5G基站建設、特高壓、城際高速

跨界碳化硅的企業有哪些？

除了Wolfspeed，美國還有哪些企業在碳化硅領域布局？

碳化硅的市場潛力還遠未被挖掘

殲-20換裝SiC雷達？

碳化硅外延很重要！

瑞薩電子（Renesas）已決定終止其碳化硅（SiC）業務計劃，原定于2025年量產的產品將不再推進。

國際碳化硅巨頭Wolfspeed陷破產危機。

國產碳化硅外延設備發展情況分析。

晶越半導體研制出高品質12英寸SiC晶錠。

日本化學公司Resonac和日本東北大學一直在探索使用由硅晶片制造過程中產生的污泥和二氧化碳制成的SiC粉末作為生長功率半導體用SiC單晶材料的原材料。

深圳平湖實驗室聚焦于SiC激光剝離新技術的研發，再取得突破。

中宜創芯宣布成功將碳化硅粉體純度突破8N，粉體純度提升至8N8（99.9999998%），刷新全球行業紀錄。

SiC外延缺陷控制技術新突破。

三家企業布局12英寸碳化硅。

硅早已是大多數電子應用中的關鍵半導體材料，但與碳化硅（SiC）晶片相比，則顯得效率低下。碳化硅晶片現在已開始被多種應用采納，特別是電動汽車，以應對開發高效率和高功率器件所面臨的能源和成本挑戰.碳化硅晶片由純硅和碳組成，與硅相比具有三大優勢：更高的臨界雪崩擊穿場強、更大的導熱系數和更寬的禁帶。碳化硅晶

全球寬禁帶半導體材料及器件正處于快速發展期，產品廣泛應用于5G通信、軌道交通、新能源汽車及充電樁、新能源、儲能、大數據中心、工控等下游領域。其中，半絕緣型碳化硅襯底主要應用于5G通信、雷達系統、導引頭、衛星通信、戰機等領域，具有提升射頻范圍、超遠距離識別、抗干擾以及高速、大容量信息傳遞等應用優勢，被

碳化硅單晶生長爐產品優勢高度自動化程序，減少人工操作能靈活改動溫場，滿足晶體長大、長快、長厚要求內置感應線圈，提高耦合效率，更低能耗金屬真空腔室，更安全耐用產品概述天科合達目前已經開發出了第五代SiC單晶生長爐，該生長爐為我司自主研發設計制造。爐體采用單室立式雙層水冷不銹鋼結構，爐子整體結構由真空系

◆設備采用模塊化結構設計，可方便切換晶體生長尺寸和石英腔室冷卻方式；◆全金屬密封結構可以降低漏率；◆旋轉液動力的冷卻方式提升了冷卻均勻性；◆高精度控溫控壓及遠程監控技術進一步提升了設備自動化程度。

天岳先進不斷追求更高的晶體質量和加工質量更好的滿足客戶的需求目前可批量供應6英寸產品8英寸產品正在研發中基本信息導電型晶型4H直徑（mm）150偏角（°）4厚度（μm）350表面狀態Epi-ready

碳化硅單晶爐PVT碳化硅SiC單晶爐主要用于6英寸碳化硅SiC單晶材料的生長，碳化硅具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率的優勢，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導體器件的優良半導體材料，也是目前綜合性能最好、商品化程度最高、技術最成熟的第三代半導體材料。第三代功率半導體器件已經在智能電網、電動汽車、軌道交

我公司提供4寸、6寸高純半絕緣碳化硅單晶，可根據客戶需求的具體參數定制，包括尺寸要求和缺陷參數等，具體要求請與我公司銷售部門聯系。

根據客戶生產的碳化硅晶體類型，可以提供原材料的定制服務，晶體原材料的規格和技術要求，請與我公司銷售部門聯系。

高純碳化硅粉一、產品簡介：通過自主研發的碳化硅原料提純工藝，可在氣氛中對碳化硅進行升華、冷凝、提純，能有效降低原料粉末中的雜質，通過工藝條件的調整，將3N的原料提純至5N、6N不同級別的碳化硅粉料產品。二、產品參數：規格：3N（99.9%）、5N（99.999%）、6N（99.9999%）粒徑：10