第三代半導體SiC晶體生長及晶圓加工技術交流會
地點：白金漢爵大酒店 日期：2025/08/21-2025/08/21
會議背景
隨著科學技術的飛速發展，半導體材料的革新速度也進一步加快。當前，碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，在新能源汽車、光伏、儲能等新興領域正快速滲透，已成為全球半導體產業的前沿和制高點。同時，我國“十四五”規劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域，碳化硅半導體將在我國5G基站建設、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數據中心等新基建領域發揮重要作用。
近年來，我國在SiC材料領域取得了顯著進展，但與國際先進水平相比，在晶體生長技術、晶圓加工技術等方面仍存在一定差距。SiC晶體生長過程中面臨著晶體缺陷控制、生長速率提升、晶體質量穩定性等難題；晶圓加工方面，則存在加工精度不足、良品率低、加工成本較高等挑戰。在當前倡導節能減排的大趨勢下，快速穩定地突破碳化硅單晶尺寸和質量等關鍵問題，才能夠更好地占據未來碳化硅市場。
在此背景下，中國粉體網將于2025年8月21日在江蘇·蘇州舉辦第三代半導體SiC晶體生長及晶圓加工技術研討會，大會將匯聚國內行業專家、學者、技術人員、企業界代表圍繞晶體生長工藝、關鍵原材料、生長設備及應用、碳化硅晶片切、磨、拋技術等方面展開演講交流。
時間
2025年8月21日
地點
蘇州·白金漢爵大酒店（相城店）
主辦單位
參展單位
山西爍科晶體有限公司
蘇州錦業源自動化設備有限公司
浙江森永光電設備有限公司
上海泰熊磁業有限公司
深圳市創科為科技有限公司
中科紅外（北京）科技有限公司
常州臻晶半導體有限公司
杭州晶馳機電有限公司
......
嘉賓報告
會議主題
1、碳化硅半導體產業現狀與展望
2、大尺寸SiC晶體生長技術難點及發展現狀
3、SiC單晶生長用高純碳化硅粉體的研究進展
4、碳化硅晶體生長裝備關鍵部件應用進展
5、碳化硅襯底研磨拋光工藝及耗材技術
6、SiC/TaC涂層技術和應用
7、第三代半導體碳化硅的先進切割工藝
8、激光技術在碳化硅切割及劃片上的應用
9、SiC襯底拋光技術研究
10、8英寸碳化硅外延材料生長核心工藝與關鍵裝備
11、碳化硅襯底及外延缺陷檢測技術
12、碳化硅晶片檢測及清洗技術
13、SiC晶體加工關鍵設備及主要技術難點
14、晶圓切割設備市場現狀及國產化進程
參會對象
· 高純碳粉、硅粉、碳化硅粉末、坩堝、籽晶等材料企業；
· 晶錠、襯底、外延、晶圓等產品企業；
· 碳化硅晶體、外延生長等設備企業；
· 金剛石線切割、砂漿線切割、激光切割等切割設備企業；
· 碳化硅磨削、研磨、拋光和清洗及耗材等企業；
· 檢測、退火、減薄、沉積、離子注入等其他設備企業；
· 高校、科研院所、行業機構等；
特色活動
大會征集參會企業相關技術合作、產品采購，工藝方案等需求進行現場采配活動，
相關信息將進行展板展示，提高現場溝通交流效率！
征集內容包含但不限于以下幾點：
1、行業投資、融資需求
2、科研成果轉化
3、產品工藝問題解決方案
4、原料、設備、儀器采購需求
大會贊助
（贊助詳細內容請聯系會務組了解）
1、協辦贊助（含展位、企業致辭，LED大屏廣告，視頻播放，企業報告等）
2、晚宴贊助（含展位、晚宴大屏LOGO展示、晚宴致辭、主持人口播廣告等）
3、其它贊助（資料袋、茶歇、椅背廣告、胸牌廣告贊助等）
4、展位展示（展示桌椅+展位背景墻廣告）
會議費用
2800 元/人
高校憑證件1500元/人
限時鉅惠，詳情聯系會務組
注冊費包括會務、資料、茶歇、餐食、茶歇、晚宴、等費用；
展位展示
1、標準展桌一套（配2把椅子）
2、企業噴繪背景墻廣告1個（2米寬*2.6米高）
3、參會名額*2
4、企業宣傳文章*1
5、訂展送公眾號廣告位（按報名時間排序，數量有限，先到先得！）
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采購/合作需求：（通過論壇平臺為您尋找優質供應商）
宣傳贊助：總冠名、晚宴、資料袋、胸牌、椅背廣告、會場大屏廣告
會務組
聯系人: 段灣灣
手 機：13810445572（微信同號）
郵 箱：duanwanwan@cnpowder.com
展位圖
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