杭州晶馳機電有限公司與您相約江蘇!2025第三代半導體SiC晶體生長及晶圓加工技術研討會
隨著科學技術的飛速發展,半導體材料的革新速度也進一步加快。當前,碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表,在新能源汽車、光伏、儲能等新興領域正快速滲透,已成為全球半導體產業的前沿和制高點。同時,我國“十四五”規劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域,碳化硅半導體將在我國5G基站建設、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數據中心等新基建領域發揮重要作用。
近年來,我國在SiC材料領域取得了顯著進展,但與國際先進水平相比,在晶體生長技術、晶圓加工技術等方面仍存在一定差距。SiC晶體生長過程中面臨著晶體缺陷控制、生長速率提升、晶體質量穩定性等難題;晶圓加工方面,則存在加工精度不足、良品率低、加工成本較高等挑戰。在當前倡導節能減排的大趨勢下,快速穩定地突破碳化硅單晶尺寸和質量等關鍵問題,才能夠更好地占據未來碳化硅市場。
在此背景下,中國粉體網將于2025年8月21日在江蘇·蘇州舉辦第三代半導體SiC晶體生長及晶圓加工技術研討會,大會將匯聚國內行業專家、學者、技術人員、企業界代表圍繞晶體生長工藝、關鍵原材料、生長設備及應用、碳化硅晶片切、磨、拋技術等方面展開演講交流。杭州晶馳機電有限公司作為參展單位邀請您共同出席。
杭州晶馳機電有限公司成立于2021年7月,公司總部與研發中心位于杭州市蕭山區浙江大學杭州國際科創中心,辦公面積約1000 ㎡。
公司致力于精密焊接技術的研究,金屬管件和真空腔體的開發與生產。主要為國內外半導體設備——PVD、CVD、PECVD、MOCVD、刻蝕機、離子注入機等提供專用高端精密零部件,是國內外半導體設備廠的重要供應商。同時產品廣泛應用于大科學裝置、太陽能光伏、LED、制藥設備和特種真空設備等一系列高端產業。產品技術達到國際先進水平,處于同行業發展前列。
目前公司產品包括6英寸水平進氣和8英寸垂直進氣碳化硅外延設備(LPCVD法),金剛石晶體生長設備(MPCVD法),氮化鋁晶體生長設備,碳化硅源粉合成爐,碳化硅晶體生長設備(PVT法),氧化鎵單晶生長爐(導模法、CZ法),各種晶體和晶片熱處理爐。
公司擁有一支由國內知名專家教授領銜的技術研發及顧問團隊,具有國內一流的自主研發創新能力,技術研發水平處于國內領先地位。公司牢固樹立人力資源為第一資源的理念,秉承“尊重人才價值、塑造人才品質、致力人才成長”的宗旨,以人為本、同心同向,實現公司與員工的共同發展。
產品介紹
1、小圓柱式微波等離子體沉積(CVD)系統
該設備為微波等離子化學氣相沉積系統(MWCVD)。采用2.45GHz頻率微波源,電場激發諧振腔模式為TM013模式,激發穩定的等離子體。該系統可以穩定生長金剛石單晶材料、多晶晶圓。通過工藝調節,可以穩定生長出 2 英寸金剛石晶圓。
主要應用領域:半導體襯底、熱沉片、珠寶、刀具、機械密封、新一代移動通信、智能電網、消費類電子等。
2、單腔立式外延爐
相較現有立式外延爐有更低的硬件成本,更小的占地面積;
兼容4/6/8寸晶圓外延生長,成膜質量好,可實現厚外延層快速生長;
更長的維護周期,更低的耗材成本;
會務組
聯系人:段經理
電話:13810445572
郵箱:duanwanwan@cnpowder.com
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